⑴ 中車株洲所IGBT打破強國壟斷 「中國芯」是怎樣煉成的
「不能總是追趕別人，我們要超越」
高鐵馳騁，橫貫東西，離不開一個關鍵器件：，中文名為絕緣柵雙極型晶體管。形象地說，IGBT就是一個控制電能的非常厲害的高級開關。
在為機車提供持續動力的牽引電傳動系統中，有一塊巴掌大小的IGBT模塊，它把控著機車自動控制和功率變換的「命脈」。
7月7日，記者來到中車株洲電力機車研究所有限公司（簡稱「中車株洲所」），近距離接觸這項被譽為「皇冠上的明珠」的軌道交通關鍵技術。
「這就是用在中國高鐵上的8英寸IGBT晶元，由我們自主研發，擁有完全知識產權。」中車株洲所下屬的中車時代電氣股份有限公司半導體事業部副主任潘昭海自豪地說。
只見一個直徑20厘米左右的圓盤上，排列著一個個指甲蓋大小的晶元。在肉眼看不到的晶元內部，5萬個被稱作「元胞」的電子單元，讓電流能夠在百萬分之一秒的時間內實現快速轉換，從而獲得牽引整列高速動車組前行的穩定電力。
中車株洲所的8英寸IGBT晶元生產線，為國內首條、世界第二條，具備年產12萬片晶元、100萬只模塊的產能，徹底打破了高端IGBT晶元技術被國外壟斷數十年的局面。
鮮為人知的是，這條8英寸IGBT晶元生產線來之不易。
2006年，中車株洲所開始謀劃IGBT技術的研究與產品的突破。國家也將IGBT器件技術作為重大專項課題，加大研發力度，但進展緩慢。
2007年，機會來了。英國丹尼克斯半導體公司是世界上最早進行IGBT技術研發的廠家，因為金融危機陷入困境。2008年10月31日，中車時代電氣股份有限公司成功收購英國丹尼克斯半導體公司75%的股權；隨後，投入巨資，將丹尼克斯的4英寸IGBT生產線升級為6英寸生產線。
並購丹尼克斯，目的是實現IGBT的自主國產化。此時，中車株洲所內部出現了兩種不同的聲音：一種堅持原封不動地將丹尼克斯6英寸IGBT生產線復制到國內，盡快實現產業化；一種則認為應該升級技術，建設一條比丹尼克斯基地更為先進的8英寸IGBT生產線。
「大部分人都認為建設8英寸IGBT生產線的風險很大，主張原封不動地將6英寸生產線搬過來。」中車時代電氣股份有限公司副總工程師劉國友說。
「不能總是追趕別人，我們要超越。」中國工程院院士、中車株洲電力機車研究所有限公司黨委書記、董事長丁榮軍力排眾議，提出基於丹尼克斯的技術，應該充分吸收IGBT的創新發展成果，果斷拍板建設8英寸IGBT生產線。
從一片空白到世界一流，創新之路越走越寬
從6英寸到8英寸，當時在全球范圍內都是歷史性的跨越，中車株洲所沒有現成的技術、經驗可供復制、借鑒，只有艱難的摸索。
走技術引進與合作之路，中車株洲所在英國成立功率半導體研發中心，同時派出國內技術人員，集中開發新一代IGBT晶元技術、新一代高功率密度IGBT模塊技術和下一代碳化硅功率器件技術等前沿基礎技術。
「通過吸收、消化、再轉化，用時6年逐步完成了8英寸生產線的設計與建設。」中車時代電氣股份有限公司半導體事業部副主任潘昭海回憶，每次工藝提出需求，設備部門進行單機采購，采購回來後進行短流程實驗，短流程再慢慢串聯成長流程，反復實驗，不斷經歷失敗與取捨，才一步步走向生產線的全線拉通，並最終全面掌握從IGBT晶元、模塊、組件到應用的全套技術。
2014年6月，由中車株洲所自主研製的8英寸IGBT晶元成功下線。如今，高功率密度3300V、1700V等系列IGBT實現量產並在軌道交通領域批量應用，各項參數指標均達到國際先進水平。
「這些年來，我們已經完成從650伏特到6500伏特全譜系的IGBT晶元研發。」潘昭海介紹，工藝不斷提升，晶元尺寸越來越小，厚度越來越薄，加工精度也越來越高。其中，最薄的晶元僅80微米，比100微米厚度的普通列印紙還要薄。
目前，自主IGBT晶元已走出國門，出口印度、馬來西亞；在俄羅斯、義大利及中歐市場也有布局，取得了小批量訂單。
IGBT應用之路越走越寬。去年底，中車株洲所的IGBT模塊成功進入智能電網領域。今年，中車株洲所啟動技改項目，計劃建設年產50萬只中低壓IGBT模塊封裝線，主要用於電動汽車領域。
■記者手記
勇於超越
在各種競技比賽中，有的選手可能在起步時沒有搶得先機，但只要掌握技巧，瞅准時機，巧妙發力，就有可能趁機超越其他選手。
我國IGBT技術積累薄弱，落後於國外，曾幾乎全部依賴進口，不僅要支付昂貴的價錢購買，還只能買成品，且產品交貨周期很長。
IGBT是國際上公認的電力電子技術第三次革命最具代表性的產品，對提升一個國家電力電子裝置技術水平和競爭力具有深遠意義。
這樣的核心關鍵技術，要想不被國外掣肘，就不能一味「跟跑」；要想佔領國際市場，就必須實現技術超越。
正是有這樣的認識高度和堅定決心，中車株洲所才會「冒險」選擇新建8英寸生產線，而非保守「復制」6英寸生產線，為的就是能夠一舉超越。
⑵ 國內生產IGBT的廠家比價好的有哪些
江蘇中科君芯，自己研發IGBT晶元，並銷售IGBT晶元、單管、模塊。很多成熟產品已經可以達到英飛凌的水準，且性價比高。
⑶ 中國IGBT和國外有多大差距
不是很贊同樓上意見，柵極壓降對IGBT能承受短路電流大小影響不大，其能承受短路電流的大小主要由晶元本身決定，也就是由晶元加工工藝決定，不同型號的IGBT應該都會給出短路電流
⑷ 現在哪家的國產IGBT單管做得好
中國什麼都好，就是電子元器件跟不上外國，不管民用和軍用，都沒辦法跟國外的比。IGBT現在最好是用仙童，是摩洛哥的
⑸ 為什麼中國做不了IGBT
本人就在這個行業，不存在中國做不了IGBT的事情，肯定能做。只不過做好需要一個過程，畢竟這版幾年剛開權始做。國外做了很多年了，國外肯定優勢很大，技術上也絕對領先，其實國內有一些廠家做的igbt模塊質量已經不錯了。晶元穩定性還是比較差，進步也是一點點積累的。
⑹ 什麼是IGBT，中國成功研製出8英寸IGBT的意義
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極體)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用於直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管晶元）與FWD（續流二極體晶元）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品；封裝後的IGBT模塊直接應用於變頻器、UPS不間斷電源等設備上；
由於電子工業基礎薄弱、技術門檻高等原因，我國大功率IGBT器件一度開發滯後，相關技術長期被ABB、英飛凌、三菱等國外公司控制，軌道交通用IGBT曾一度全部依賴進口。
近年來，世界范圍內IGBT器件發展迅速，特別是中國發展速度最快，成為IGBT器件最大消費國。未來隨著國家節能減排、加強自主創新能力等政策的引導和支持，市場的需求量逐年迅猛增長。據統計，目前我國IGBT年需求量已超過75億元，而且每年以30%以上的速度增長。我國的技術進步和產業升級對IGBT器件有著很強的依賴性，國內IGBT市場供不應求。有關資料預測，到2020年，僅軌道交通電力牽引每年IGBT模塊的市場規模不低於10億元；此外，智能電網市場也將不低於4億元。
中國成功研製出8英寸IGBT的意義：智能電網、高鐵建設、新能源汽車以及家電節能等本土市場，更為企業的技術突破，實現IGBT的替代創造了堅實的市場基礎。尤其是節能與新能源是國家發展新興科技產業的重點，而IGBT則是節能與新能源領域核心器件，所以IGBT產業化不僅僅是市場需求，同時也是國家發展的戰略需求。發改委於2010年3月19日下發紅頭文件：《國家發展改革委辦公廳關於組織實施2010年新型電力電子器件產業化專項的通知》，其專項重點明確了以IGBT為代表的晶元和器件的設計開發及產業化、功率模塊產業化。這說明國家對目前功率半導體國產化的現狀已有比較深刻的認識和危機意識
⑺ IGBT，國際品牌像英飛凌，西捫康，富士，三菱，施奈德等供應的IGBT，是在國內生產呢還是從國外進口
崑山唯美電子有限公司專業致力於電力半導體器件的生產及研發。經過二十多年的創新拼搏與香港眾多廠商、投資商強強聯手，現企業在大陸已發展成為集產品研發、生產製造、商貿、進出口、投資及網路銷售於一體的綜合型企業。
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企業主要銷售品牌
包括:英飛凌、歐派克、日本三社、IXYS艾賽斯、西門康、富
士、三菱、新電源、東芝、IR、摩托羅拉、西門子、英達、三
肯、三洋、APT、ST ABB、西碼、CDE等國外知名公司生產的IGBT
可控硅、晶閘管、GTR、IPM、PIM、快恢復二極體、整流橋、電解電容、
驅動電路、MOSFET 日本歐姆龍日本光洋旋轉編碼器等 。
優勢代理產品為大功率平板式晶閘管、可控硅、二極體、IGBT，
品牌如EUPEC、西門康、西碼、三菱、ABB、三社、IR、 明緯開關電源等國外功率模塊。
在國內嚴格按照國際標准生產：ZP型普通整流管、ZK型 快速整流管、KP型普通晶閘管、
KS型雙向晶閘管、KK型快速晶閘管、KG型高頻晶閘管、橋式整流器、電力模塊、肖特基模塊、
SF超快恢復二極體、電焊機專用模塊、固態繼電器、固態調壓器、型材散熱器等電力半導體器件。
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